(사진=삼성전자 제공)
삼성전자가 4GB D램과 같은 크기에 용량은 두배로 늘어 AI의 성능을 향상시킬 수 있는 8GB의 대용량 D랩 칩 양산을 늘린다.
삼성전자는 18일 '8GB HBM2(고대역폭 메모리, High Bandwidth Memory) D램' 양산 규모를 빠르게 늘리며, 슈퍼컴퓨터(HPC) 시장뿐 아니라 네트워크, 그래픽카드
시장까지 공급을 본격 확대할 것이라고 밝혔다.
삼성전자는 지난해 6월 8GB HBM2 D램 양산을 시작해 인공지능(AI) 서비스에 활용되는 슈퍼컴퓨터용 메모리 시장을 개척한 데 이어 기존 하이엔드 그래픽카드 시장까지 프리미엄 D램 활용처를 확대해왔다.
8GB HBM2 D램은 기존 그래픽 D램(8Gb GDDR5, 8Gbps)의 전송 속도(32GB/s)보다 8배 빠른 초당 256GB 속도로 데이터 전송이 가능하다.
이 칩에는 삼성전자의 '초고집적 TSV 설계'와 '발열 제어 기술' 등 850여 건의 핵심 특허가 적용돼 고객들의 차세대 시스템에 고용량, 초고속, 초절전 등 최적의 솔루션을 제공한다고 삼성은 설명했다.
이 칩은 1개의 버퍼 칩 위에 8Gb(기가비트) HBM2 D램 칩(20나노 공정 기반) 8개를 적층한 구조로, 각 칩에 5천개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만개 이상의 'TSV 접합볼'로 수직 연결한 '초고집적 TSV 설계 기술'이 적용됐다고 삼성은 덧붙여다.
특히 대용량의 정보를 처리시 일부 TSV에서 데이터 전달이 지연될 경우 성능 저하가 발생하지 않도록 다른 TSV로 경로를 전환시켜 최적의 성능을 유지할 수 있도록 했다.
삼성전자는 고속 동작시 칩의 특정 영역이 제한 온도 이상으로 상승하지 않도록 하는 '발열 제어 기술'도 개발해 적용함으로써 높은 수준의 신뢰성을 확보했다.
이 칩은 4GB D램과 크기는 같지만 용량은 2배로 늘어 인공지능 AI의 성능한계를 극복했고 차세대 시스템의 소비전력 효율도 늘렸다.