사진=삼성전자 제공
삼성전자는 세계 최초로 차세대 낸드 인터페이스를 적용해 업계 최고 속도를 구현한
'256Gb(기가비트) 5세대 V낸드'를 본격 양산한다고 10일 밝혔다.
이 '5세대 V낸드' 에는 자체 개발한 3대 혁신 기술을 이용해 '3차원 CTF 셀'을 90단 이상 쌓아 세계 최고 적층기술을 상용화했다.
적층기술은 기판 여기저기에 놓이던 칩을 고층빌딩 처럼 위아래로 쌓는 기술로 반도체 칩의 크기는 줄이면서도 선능은 높이는 기술이다.
'5세대 V낸드'는 차세대 낸드 인터페이스 'Toggle DDR 4.0 규격'을 처음 적용한 제품으로 초당 데이터 전송 속도가 4세대 V낸드 대비 1.4배 빠르다고 삼성전자는 설명했다.
이 제품에는 단층을 피라미드 모양으로 쌓고, 최상단에서 최하단까지 수직으로 수백나노미터 직경의 미세한 구멍을 뚫어, 데이터를 저장하는 '3차원(원통형) CTF 셀(CELL)'을 850억개 이상 형성하는 역대 최고 난이도의 기술이 적용됐다고 삼성전자는 덧붙였다.
각 층에 있는 칩을 연결하는 초고속 엘리베이터를 만든 셈으로 그만큼 정보처리 속도가 빨라진다.
특히 단수를 올리는데 비례해 높아지는 셀 영역의 높이를 20%나 낮추는 독창적인 기술 개발로 4세대 제품대비 생산성도 30% 이상 높였다고 삼성전자는 밝혔다.
삼성전자는 '5세대 V낸드'의 성능과 생산성을 극대화 하기 위해 독자 개발한 '3대 혁신기술'을 적용했다고 설명했다.
속도는 1.4배 빠르면서도 동작전압은 33%나 낮춰 스마트폰 등 모바일 기기에서 배터리를 오래 쓸수 있도록 하는 '초고속,저전압 동작회로 설계기술'이 적용돼 4세대 수준의 소비전력으로 최고성능을 구현한다.
고속쓰기와 최단일기 응답대기시간 회로 서계기술이 적용돼 4세대보다 30% 빨라지고 동작을 멈춘뒤 읽기와 응답대기시간도 대폭 줄였다.
특히 '텅스텐 원자층박막 공정 기술(Atomic Layer Deposition W, ALD W)'을 통해 삼성전자는 셀 영역의 높이가 20% 낮아짐에 따라 증가하는 간섭 현상을 줄여 동작 오류를 방지하고, 동작 인식 범위를 넓혀 데이터를 더 정확하고 빨리 처리할 수 있는 특성을 확보했다고 밝혔다.
삼성전자는 5세대 V낸드의 고객 수요 확대에 맞춰 생산 비중을 빠르게 확대해 슈퍼컴퓨터부터 엔터프라이즈 서버, 모바일 시장까지 고용량화 트랜드를 지속 주도해 나갈 계획이다.