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삼성전자, 5나노 공정 개발…"초미세 공정 기술 리더십 강화"

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    삼성전자, 5나노 공정 개발…"초미세 공정 기술 리더십 강화"

    7나노 대비 로직 면적 25% 축소, 전력효율 20%, 성능 10% 향상
    업계 최초 EUV 적용 7나노 제품 이달중 출하, 6나노 제품은 연내 양산 계획

    화성캠퍼스 EUV 라인 전경('19.3월 촬영) (삼성전자 제공)

     

    삼성전자가 EUV(극자외선) 기술을 기반으로 '5나노 공정' 개발에 성공했다고 16일 밝혔다.

    삼성전자는 초미세 공정 포트폴리오 확대를 통해 파운드리(반도체 수탁 생산) 기술 리더십과 4차 산업혁명을 이끌 시스템 반도체 사업 경쟁력을 강화할 전략이다.

    5나노 공정은 셀 설계 최적화를 통해 기존 7나노 공정 대비 로직 면적을 25% 줄일 수 있다. 20% 향상된 전력 효율이나 10% 향상된 성능을 제공한다.
     
    삼성전자는 이달 안에 7나노 제품을 출하할 계획이다. 7나노 공정에 적용된 설계 자산을 활용할 수 있어 기존 7나노 공정 고객은 5나노 공정의 설계 비용을 줄일 수 있다.
     
    6나노 공정은 제품 설계가 완료돼 올해 하반기 양산 예정이다.
     
    이번 초미세 공정의 기반이 된 EUV 기술은 기존 불화아르곤(ArF)보다 파장의 길이가 짧은 EUV 광원을 사용해 보다 세밀한 반도체 회로를 구현할 수 있는 것이 특징이다.
     
    이로 인해 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝 공정을 줄여 성능과 수율을 높일 수 있다고 삼성전자는 설명했다.
     
    삼성전자는 첨단 초미세 공정 파운드리 생산의 핵심 기술을 확보하면서 국내 시스템 반도체 생태계가 강화되는 동시에 시스템 반도체 역량도 높아지는 효과가 있을 것으로 기대하고 있다.
     
    삼성전자는 1장의 웨이퍼에 여러 종류의 반도체 제품을 생산하는 'MPW(Multi Project Wafer) 서비스'와 삼성전자 파운드리 지원 프로그램인 'SAFE TM'도 제공할 계획이다.

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