2일 서울 중구 대한상공회의소에서 열린 신년합동인사회에서 이재용 삼성전자 부회장과 정의선 현대차그룹 수석부회장이 인사하고 있다. (사진=연합뉴스 제공)
삼성전자 이재용 부회장이 2일 경기도 화성사업장 반도체연구소를 찾아 새해 첫 일정을 소화했다.
이 부회장은 이날 삼성전자가 세계 최초로 개발한 3나노 공정기술을 보고 받고 DS(디바이스솔루션) 부문 사장단과 함께 차세대 반도체 전략을 논의했다.
이 부회장은 "과거의 실적이 미래의 성공을 보장해주지 않는다"며 "역사는 기다리는 것이 아니라 만들어가는 것"이라고 말했다.
이어 "잘못된 관행과 사고는 과감히 폐기하고 새로운 미래를 개척해 나가자"고 당부했다.
삼성전자는 이 부회장의 새해 첫 경영 행보가 반도체 개발 현장에서 시작한 것에 대해 "메모리에 이어 시스템 반도체 분야에서도 세계 1위가 되겠다는 비전을 다시 한 번 임직원과 공유하며 목표달성 의지를 다진 것"이라고 설명했다.
삼성전자는 오는 2030년까지 133조원을 투자해 시스템 반도체 분야에서도 세계 1위가 목표라고 지난해 선언했다.
반도체 미세화의 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술인 'GAA(Gate-All-Around)'를 적용한 3나노 반도체는 최근 공정 개발을 완료한 5나노 제품에 비해 칩 면적을 약 35% 이상 줄일 수 있다.
또, 소비전력을 50% 감소시키면서 성능(처리속도)은 약 30% 향상시킬 수 있다고 회사 측은 설명했다.
이 부회장은 이와 함께 "우리 이웃, 우리 사회와 같이 나누고 함께 성장하는 것이 우리의 사명이자 100년 기업에 이르는 길임을 명심하자"고 말했다.
앞서 그는 지난 11월 호암 이병철 선대 회장의 32주기 추모식에서 "선대 회장 사업보국(事業報國) 이념을 기려 우리 사회와 나라에 보탬이 되도록 하자"고 언급했다.