삼성전자 평택캠퍼스 전경. 삼성전자 제공조 바이든 미국 대통령은 20일 한국에 도착하자마자 '세계 최대' 규모의 삼성전자 평택 반도체 공장을 방문한다. 삼성전자 이재용 부회장은 '세계 최초' 양산 예정인 3나노미터(㎚, 10억분의 1m) 공정의 차세대 반도체를 선보일 전망이다.
바이든 대통령은 이날 오후 경기도 오산 미군기지에 도착 직후 곧바로 경기도 평택 삼성전자 반도체 공장을 찾는 것으로 한국 방문 공식 일정을 시작한다. 윤석열 대통령이 동행하고 이재용 삼성전자 부회장이 두 정상을 수행한다.
삼성전자의 평택 반도체 공장은 세계 최대 규모 반도체 생산라인으로, 총 부지 면적이 289만㎡(87만5천평)에 이른다. 이는 여의도 면적(약 290만㎡)과 비슷하며, 축구장으로 환산하면 축구장 약 400개에 해당한다.
삼성전자 평택캠퍼스는 2015년 5월 착공해 2017년 7월 P1부터 본격적으로 가동했다. P2는 2020년 가동에 들어갔고 P3이 올해 하반기 완공을 앞두고 있다. P3는 클린룸(먼지·세균이 없는 생산시설) 규모만 축구장 면적 25개 크기로, 현존하는 단일 반도체 라인 중 세계 최대다.
반도체는 더 작고 빠르게, 더욱 적은 전력만을 소모하는 방향으로 발전해왔다. 왼쪽부터 평판(Planar) 트랜지스터, 완전공핍층(Fully Depleted, 또는 Fin) 트랜지스터, GAA(Gate All Around) 트랜지스터. 삼성전자 제공업계에 따르면 삼성전자는 이날 평택캠퍼스에서 바이든 대통령에게 조만간 양산에 돌입하는 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 세계 최초 3나노 반도체 시제품을 소개할 것으로 예상된다.
업계 관계자는 "삼성전자가 대만 TSMC보다 파운드리(반도체 위탁생산) 기술력이 뛰어나다는 점을 강조하기 위해 개발을 마친 3나노 제품을 공개할 것"이라며 "총수인 이재용 부회장이 직접 소개할 가능성도 있다"고 말했다.
GAA 공정은 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적은 줄이고 소비 전력은 적으면서 성능 면에서 앞서고 설계 유연성을 가진 독자적인 신기술로, 삼성전자는 이를 적용해 TSMC보다 먼저 3나노 양산을 시작하는 것을 목표로 하고 있다.
퀄컴의 크리스티아누 아몬 최고경영자(CEO). 퀄컴 제공
삼성전자는 바이든 대통령의 평택공장 방문에 동행할 것으로 알려진 주요 고객사인 미국 반도체 전문 설계기업(팹리스) 퀄컴의 크리스티아누 아몬 최고경영자(CEO)에게 3나노 공정을 통해 업계 최선단 기술력을 보유했다는 점을 강조할 것으로 보인다.
삼성전자 파운드리는 올해 초 출시된 퀄컴의 모바일 AP '스냅드래곤8 1세대'의 위탁 생산을 맡았다. 다만 퀄컴은 수율(결함이 없는 합격품의 비율) 문제 등을 들어 후속 제품인 '스냅드래곤8 1세대 플러스(+)'는 TSMC에 맡긴 것으로 알려졌다.
업계 관계자는 "아몬 CEO가 바이든 대통령과 함께 공장을 찾을 경우 오랜 사업파트너인 삼성전자와 퀄컴의 최고 경영진이 향후 다양한 사업 협력 방안을 논의할 수 있는 기회가 될 것으로 보인다"고 말했다.
한편 양국 정상은 이날 삼성전자 평택캠퍼스 방문에서 기술동맹을 선언하는 한미 정상 연설을 준비 중인 것으로 전해졌다. 미국의 반도체 설계 기술과 한국의 제조 기술로 시너지를 내는 방안이 구체적으로 거론될 전망이다.